IDT71V547, 128K x 36, 3.3V Synchronous SRAM with
ZBT ? Feature, Burst Counter and Flow-Through Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics
(V DD = 3.3V +/-5%, Commercial and Industrial Temperature Ranges)
71V547S80
71V547S85
71V547S90
71V547S100
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Clock Parameters
t CH
t CL
t CYC
(2)
(2)
Clock Cycle Time
Clock High Pulse Width
Clock Low Pulse Width
10.5
3
3
____
____
____
11
3.9
3.9
____
____
____
12
4
4
____
____
____
15
5
5
____
____
____
ns
ns
ns
Output Parameters
t CLZ
t CHZ
t OLZ
t OHZ
t CD
t CDC
(3,4,5)
(3,4,5)
t OE
(3,4)
(3.4)
Clock High to Valid Data
Clock High to Data Change
Clock High to Output Active
Clock High to Data High-Z
Output Enable Access Time
Output Enable Low to Data Active
Output Enable High to Data High-Z
____
2
4
____
____
0
____
8
____
____
5
5
____
5
____
2
4
____
____
0
____
8.5
____
____
5
5
____
5
____
2
4
____
____
0
____
9
____
____
5
5
____
5
____
2
4
____
____
0
____
10
____
____
5
5
____
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Setup Times
t SE
t SA
t SD
t SW
t SADV
t SC
t SB
Clock Enable Setup Time
Address Setup Time
Data in Setup Time
Read/Write (R/ W ) Setup Time
Advance/Load (ADV/ LD ) Setup Time
Chip Enable/Select Setup Time
Byte Write Enable ( BW x) Setup Time
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
____
____
____
____
____
____
____
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
____
____
____
____
____
____
____
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
____
____
____
____
____
____
____
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
____
____
____
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Hold Times
t HE
t HA
t HD
t HW
t HADV
t HC
t HB
Clock Enable Hold Time
Address Hold Time
Data in Hold Time
Read/Write (R/ W ) Hold Time
Advance/Load (ADV/ LD ) Hold Time
Chip Enable/Select Hold Time
Byte Write Enable ( BW x) Hold Time
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
____
____
____
____
____
____
____
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
____
____
____
____
____
____
____
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
____
____
____
____
____
____
____
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
____
____
____
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTES:
3822 tbl 23
1. Measured as HIGH above 2.0V and LOW below 0.8V.
2. Transition is measured ±200mV from steady-state.
3. These parameters are guaranteed with the AC load (Figure 1) by device characterization. They are not production tested.
4. To avoid bus contention, the output buffers are designed such that t CHZ (device turn-off) is about 2 ns faster than t CLZ (device turn-on) at a given temperature and voltage.
The specs as shown do not imply bus contention because t CLZ is a Min. parameter that is worse case at totally different test conditions (0 deg. C, 3.465V) than t CHZ ,
which is a Max. parameter (worse case at 70 deg. C, 3.135V). .
12
相关PDF资料
IDT71V632S7PFGI IC SRAM 2MBIT 7NS 100TQFP
IDT71V65703S85BGGI IC SRAM 9MBIT 85NS 119BGA
IDT71V65803S150BGI IC SRAM 9MBIT 150MHZ 119BGA
IDT71V67602S166BGG IC SRAM 9MBIT 166MHZ 119BGA
IDT71V67603S166PFGI IC SRAM 9MBIT 166MHZ 100TQFP
IDT71V67703S85BGGI IC SRAM 9MBIT 85NS 119BGA
IFMD18105 CABINET STEEL 19.6X39.4X77.3 BEI
IFMD18106 CABINET STEEL 23.6X39.4X77.3 BEI
相关代理商/技术参数
IDT71V547S80PFGI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x20) 包装:托盘
IDT71V547S90PF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 90NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V547S90PF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 90NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V547S90PFG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 90NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V547S90PFG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 90NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V547S90PFI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 90NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V547S90PFI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 90NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V547XS100PF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040